导读 几年来，三星每年在其各种芯片业务上花费数百亿美元。周四，该公司宣布其更新的半导体投资计划包括到 2030 年在其 LSI 和代工业务的研

几年来，三星每年在其各种芯片业务上花费数百亿美元。周四，该公司宣布其更新的半导体投资计划包括到 2030 年在其 LSI 和代工业务的研发和资本支出上投入 1500 亿美元。

大约两年前，三星宣布计划到 2030 年在其 LSI 和代工业务上投入 1150 亿美元(即每年 95.1 亿美元)，其中包括新工艺技术和材料的研发、芯片设计和实际晶圆厂。每年 95.1 亿美元是一大笔钱，但从现在开始，该公司承诺每年在其 LSI 和半导体生产业务上花费 150 亿美元。这一增长是由 5G、人工智能和高性能计算等大趋势推动的对芯片和半导体制造服务不断增长的需求推动的。

近年来，三星电子的支出一直超过世界上所有其他半导体生产商。就在去年，它投资了约 281 亿美元用于三星代工厂和内存(3D NAND、DRAM)业务的生产设施。随着对代工业务的更多承诺，三星几乎肯定会将其半导体部门的总体资本支出增加到每年 300 亿美元以上。

“整个半导体行业正面临一个分水岭，现在是制定长期战略和投资计划的时候了，”三星电子副董事长兼设备解决方案部门负责人 Kinam Kim 博士说。

有趣的是，三星还宣布已开始在韩国平泽附近建造新的 P3 晶圆厂，该晶圆厂将用于使用依赖于极紫外 (EUV) 光刻的工艺技术生产 DRAM 和逻辑芯片。通常，三星使用不同的晶圆厂来制造 DRAM 和逻辑芯片，但看起来使用下一代 EUV 工具，为两种类型的产品使用一个晶圆厂是有意义的。

三星的 P3 预计将在 2022 年下半年完成。最初，它将使用三星的 14 纳米技术用于 DRAM 以及用于 SoC 的 5 纳米节点生产芯片。看起来领先的制造技术，包括 4nm 和 3nm，将继续最初用于三星代工厂位于韩国华城附近的 V1 晶圆厂。

“对于内存业务，三星一直保持着无可争议的领先地位，该公司将继续进行先发制人的投资以引领行业，”Kinam Kim 博士说。