导读 SK hynix 宣布已完成由 176 层组成的业界最多层 512 Gb 三层单元 (TLC) 4D NAND 闪存的开发。该公司表示，上个月它向控制器公司

SK hynix 宣布已完成由 176 层组成的业界最多层 512 Gb 三层单元 (TLC) 4D NAND 闪存的开发。该公司表示，上个月它向控制器公司提供了样品，以便他们可以围绕它设计产品。此前，SK海力士采用结合Charge Trap Flash和高集成Peri的96层NAND闪存产品推广其4D技术。

新的 176 层 NAND 闪存是该公司表示的第三代 4D产品，可确保每个晶圆的数量达到业界最佳水平。与具有差异化成本竞争力的上一代产品相比，每片晶圆上更多的使比特生产率提高了 35%。采用二分单元阵列选择技术，单元读取速度比上一代提高20%。

SK海力士还通过采用加速技术在不增加进程数量的情况下将数据传输速度提高了33%至1.6 Gbps。使用新技术的消费者和企业 SSD 将在明年年中上市，最大读取速度提高 70%，最大写入速度提高 35%。

SK hynix 表示，它克服了增加 NAND 闪存产品中的层数带来的挑战，例如单元电流降低、通道扭曲以及由于双堆叠错位导致的单元分布恶化。它使用单元层间高度降低、层可变时序控制和超精密对准克服了这些障碍。

使用新型176层NAND闪存开发的产品中，有使用新型NAND的双密度1Tb产品。更快的读写速度在存储产品中总是受欢迎的，这对企业用户和电脑爱好者来说是个好消息。没有迹象表明使用新技术的产品可能要花多少钱。