NvidiaGeForceRTX50系列BlackwellGPU将在台积电4NP节点上生产

以Nvidia为中心的泄密者Kopite7kimi透露，为GeForceRTX5090提供动力的GB202GPU将在台积电的4NP节点上制造，与GB100相同。他们还讨论了每个SM(流式多处理器)上吞吐量的提高。

有着无可挑剔记录的泄密者Kopite7kimi透露了一些有关为下一代GeForceRTX5090、RTX5080和RTX5070提供动力的GB202、GB203和GB205GPU的信息。不久前，Nvidia展示了其基于Blackwell架构的旗舰GB100GPU，Kopite7kimi确认GeForceRTX50系列将在同一台积电4NP(不要与N4P混淆)节点上制造。

泄密者补充说，4NP节点应该会使晶体管密度增加30%。这明显高于N4和N4P之间增加的6%晶体管密度。对于Nvidia来说，使用其定制节点(4N)的增强版本而不是在N3B和N3E等尖端替代品上争夺容量是有意义的。Nvidia能否将尺寸保持在EUV光罩限制(856mm2)内而不影响良率仍有待观察。

Kopite7kimi补充说，GB202(和其他BlackwellGPU)的每个SM(流式多处理器)可能会获得更大的L1缓存。这可能是整个SM重新设计的一部分，泄密者称这将提高每个SM的吞吐量。由于整个GB3202预计具有192个SM，GeForceRTX5090实际上可能会实现传闻中的2.6性能提升。

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